Page 122 - Spin Transport and Spintronics
P. 122

5.1 แผ่นบันทึกข้อมูล                                                             124






























                     รูปที่ 5.4 การพิจารณาค่าความจุของข้อมูลจากความหนาแน่นของแทรคและบิตข้อมูล



              ทำการลดขนาดของบิตข้อมูลและแทร็คข้อมูล ความสัมพันธ์ของการลดขนาดของบิตและแทร็คข้อมูล

              สามารถพิจารณาผ่านค่าอัตราส่วนบิตข้อมูล (bit aspect ratio หรือ BAR) ซึ่งเป็นค่าอัตราส่วนระหว่าง

              ความหนาแน่นของบิตข้อมูลต่อความหนาแน่นของแทร็คข้อมูลดังนี้




                                                       BD     TW
                                              BAR =        =                                  (5.2)
                                                       TD     BL
              และ

                                                  BD 2       2
                                           AD =        = TD × BAR                             (5.3)
                                                 BAR

              เมื่อ TW คือความกว้างของแทร็ค และ BL คือความกว้างของบิตข้อมูล มีหน่วยเป็นนาโนเมตร

                    จากความสัมพันธ์ข้างต้นพบว่าขนาดของบิตข้อมูลจะมีค่าแปรผกผันกับค่า BAR และความหนา

              แน่นของพื้นที่การบันทึกข้อมูล การเพิ่มความหนาแน่นของพื้นที่การบันทึกข้อมูลของฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟ
              ทำได้โดยลดขนาดของบิตข้อมูลและความกว้างของแทร็คข้อมูล ดังแสดงในรูปที่ 5.5 นอกจากนี้ยัง

              พบว่าการเพิ่มค่าความจุของการบันทึกข้อมูลจำเป็นต้องคำนึงถึงค่า BAR ซึ่งมีความสัมพันธ์กับการ

              ออกแบบหัวเขียนและหัวอ่านข้อมูล แม้ว่ากรณีที่ค่า BAR มีค่าเท่ากับ 1 ซึ่งความกว้างของแทร็คและ

              ขนาดของบิตข้อมูลจะมีค่าเท่ากัน (TW=BL) จะให้ค่าความจุข้อมูลที่สูง แต่ขนาดของแทร็คข้อมูลที่
              เล็กจะทำให้เกิดปัญหาในกระบวนการเขียนและอ่านข้อมูลเนื่องจากข้อจำกัดเชิงกลของการออกแบบ

              หัวเขียนและหัวอ่านข้อมูล โดยส่งผลทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นของค่าสัญญาณรบกวนทางความร้อน (mag-

              noise) ภายในหัวอ่านข้อมูลและข้อจำกัดในการออกแบบหัวอ่านข้อมูลให้มีขนาดเล็กและมีค่าความ

              ต้านทานเชิงพื้นที่มีค่าที่ต่ำกว่า 10 มิลลิโอห์ม·ตารางไมโครเมตร
   117   118   119   120   121   122   123   124   125   126   127