Page 182 - Spin Transport and Spintronics
P. 182
6.4 คำถามท้ายบท 184
6.4.7 เมื่อทำการพิจารณาผลของค่าสปินโพลาไรเซชันของความนำไฟฟ้า (β) ที่มีต่อพฤติกรรมการ
ส่งผ่านสปินในโครงสร้างของสปินวาล์ว Co(5nm)/Cu(2nm)/ NiFe(5nm)/Cu(2nm)/FM(5nm) ด้วย
2
การป้อนกระแสไฟฟ้าที่มีความหนาแน่นเท่ากับ j e= 10 MA/cm ในทิศทางตั้งฉากกับโครงสร้างวัสดุ
จากผลการคำนวณค่า ∆RA และอัตราส่วน MR ดังรูปด้านล่าง จงอธิบายความสัมพันธ์ของค่าสปินโพ
ลาไรเซชันของความนำไฟฟ้าที่มีต่อพฤติกรรมการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุดังกล่าว
0.009 45
∆RA
0.008 40
MR ratio
∆RA [fΩ⋅m 2 ] 0.007 35 MR ratio [%]
0.006
30
0.005 25
(a)
0.004 20
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
β
6.4.8 การศึกษาพฤติกรรมการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุสามชั้น Co(5nm)/Cu(5nm)/FMs(5nm)
โดยชั้นอิสระเป็นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรชนิดต่างๆ ได้แก่ Co NiFe CoFe CFS CFA และ CFAS จากการ
คำนวณค่าการสะสมสปินและกระแสสปินเชิงตำแหน่งได้ผลค่าความต้านทานเชิงพื้นที่ต่อตำแหน่งดัง
รูป จงทำการวิเคราะห์และอธิบายผลดังกล่าวอย่างละเอียด พร้อมทั้งสรุปว่าวัสดุชนิดใดมีความเหมาะ
สมในการนำมาประยุกต์ใช้เป็นหัวอ่านข้อมูล เพราะเหตุใด
