Page 218 - Spin Transport and Spintronics
P. 218
ดัชนี
ก ค
เกรนแม่เหล็ก, 127 เครื่องกำเนิดสัญญาณความถี่สูง, 136
กฎการอนุรักษ์โมเมนตัมเชิงมุม, 37 เครื่องมือวัดกึ่งเสถียร, 151
กฎของฟิค (Fick’s law), 82 โครงสร้างแถบพลังงาน, 20
กฎบิโอต์และซาวาร์ต, 133 โครงสร้างแม่เหล็กแอนติเฟอร์โรสังเคราะห์,
กระแสไฟฟ้าวิกฤต, 205 147
กระแสการแพร่, 40 โครงสร้างหัวอ่านข้อมูล, 138, 143, 172
กระแสทะลุผ่าน, 217 โครงสร้างรอยต่อทะลุผ่านเชิงแม่เหล็ก, 30, 49,
กระแสลอยเลื่อน, 40 195
กระแสสปิน, 28, 36, 190 โครงสร้างวัสดุ CoFeB/MgO/CoFeB, 199
กระแสสปินโพลาไรซ์, 35, 38 โครงสร้างวัสดุหลายชั้น, 27, 126
กระแสสปินโพลาไรซ์แบบสมบูรณ์, 38 โครงสร้างสปินวาล์ว, 17, 47
กระแสสปินบริสุทธิ์, 39 ค่าคงที่แอนไอโซโทรปี, 134
กระบวนการเขียนข้อมูล, 127 ค่าคงที่การแพร่, 42, 114
กระบวนการให้สนามความเย็น, 145 ค่าคงที่ความหน่วงประสิทธิผล, 205
กระบวนการอ่านข้อมูล, 152 ค่าความจุข้อมูลเชิงพื้นที่, 27, 127, 166
การเคลื่อนที่ของการสะสมสปิน, 55 ค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กขนาดใหญ่, 17
การแปลงเมตริกซ์, 61 ค่าความนำไฟฟ้า, 20
การกระเจิงของสปิน, 18 ค่าปริพันธ์แลกเปลี่ยน s-d, 53
การกระเจิงของสปินในบริเวณรอยต่อ, 58 ค่าสปินโพลาไรเซชัน, 18
การคำนวณเชิงวิเคราะห์ของสปินเดี่ยว, 207 ค่าสปินโพลาไรเซชันของค่าคงที่การแพร่, 42
การบันทึกข้อมูลแบบตั้งฉาก, 125 ค่าสปินโพลาไรเซชันของสภาพการนำไฟฟ้า,
การส่งผ่านของสปิน, 81 43
การส่งผ่านของอิเล็กตรอน, 40 ความเข้มข้นของไอออน, 83
การส่งผ่านสปินและประจุของอิเล็กตรอน, 33 ความต้านทาน RA, 190
การสะสมประจุ, 42 ความต้านทานเชิงแม่เหล็ก, 89, 96, 179
การสะสมสปิน, 33, 42, 190 ความต้านทานเชิงแม่เหล็กจากการทะลุผ่าน,
การสะสมสปินที่สภาวะสมดุล, 58 26
การสั่นพ้องของวัสดุแม่เหล็ก, 205 ความต้านทานเชิงพื้นที่, 128
