Page 161 - Spin Transport and Spintronics
P. 161

6.2 การออกแบบหัวอ่านข้อมูล                                                       163



                       6.2.1   การจำลองโครงสร้างหัวอ่านข้อมูล



                             ในการออกแบบหัวอ่านข้อมูลที่มีความเสมือนจริง จำเป็นต้องพิจารณาผลของบริเวณรอยต่อ
                       ระหว่างชั้นวัสดุ เนื่องจากลักษณะของบริเวณรอยต่อระหว่างชั้นวัสดุเป็นปัจจัยที่มีความสำคัญและส่ง

                       ผลต่อค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กอย่างมาก ในทางปฏิบัติกระบวนการผลิตหัวอ่านข้อมูลจะอาศัยวิธี

                       การปลูกผลึกด้วยวิธีการสปัตเตอริ่ง ทำให้เกิดการผสมกันของอะตอมระหว่างชั้นฟิล์มซึ่งเป็นสิ่งที่หลีก
                       เลี่ยงได้ยาก เมื่อหัวอ่านข้อมูลมีขนาดเล็กลงจะทำให้เกิดการผสมกันของอะตอมระหว่างชั้นฟิล์มที่เกิด

                       ขึ้นในกระบวนการปลูกผลึกมากขึ้นและส่งผลอย่างมีนัยสำคัญต่อกระบวนการทำงานของหัวอ่านข้อมูล


                             แบบจำลองระดับจุลภาคส่วนใหญ่ที่นิยมใช้ในการอธิบายพฤติกรรมการส่งผ่านสปินและปรากฏ-

                       การณ์ต่างๆ ภายในโครงสร้างวัสดุหัวอ่านข้อมูล จะพิจารณารอยต่อแบบอุดมคติซึ่งไม่มีการแพร่ของ
                       อะตอมระหว่างชั้นฟิล์ม ทำให้แบบจำลองดังกล่าวขาดความเสมือนจริงและไม่สามารถอธิบายปรากฏ-

                       การณ์ทางกายภาพต่างๆ ที่เกิดขึ้นภายในบริเวณรอยต่อระหว่างชั้นฟิล์มบางได้อย่างครอบคลุม ดังนั้น

                       เพื่อให้แบบจำลองมีความเสมือนจริงและให้ผลการคำนวณที่ถูกต้องมากขึ้น การอาศัยแบบจำลองใน
                       ระดับอะตอมสำหรับการพิจารณาการผสมกันของอะตอมระหว่างชั้นฟิล์มและการอธิบายพฤติกรรม

                       การส่งผ่านสปินที่บริเวณรอยต่อจึงเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการอธิบายปรากฏการณ์ค่าความต้านทานเชิง

                       แม่เหล็กและปรากฏการณ์ต่างๆ ที่เกิดขึ้นภายในโครงสร้างวัสดุแม่เหล็ก ดังนั้นในการออกแบบหัว
                       อ่านข้อมูลจำเป็นต้องทำการจำลองโครงสร้างวัสดุด้วยแบบจำลองระดับอะตอมเป็นลำดับแรก โดย

                       พฤติกรรมการส่งผ่านสปินในอุปกรณ์จริงจะขึ้นอยู่กับความหนาและลักษณะของรอยต่อระหว่างชั้น

                       วัสดุ ซึ่งสามารถพิจารณาได้จากกฎของฟิคดังรายละเอียดในบทที่ 3 อย่างไรก็ตามเพื่อความง่ายในการ
                       พิจารณาในระดับอะตอม เราพบว่าความเข้มข้นของอะตอมที่ตำแหน่งต่างๆ ที่พิจารณาจากกฎของฟิค

                       สามารถคำนวณแทนได้ด้วยความน่าจะเป็นของการกระจายตัวของอะตอมระหว่างชั้นวัสดุ (probabi-

                       lity distribution หรือ C) ดังสมการต่อไปนี้



                                                         1        x − x 0
                                                    C =   [−tanh(       ) + 1]                         (6.1)
                                                         2          D

                       เมื่อ x คือ ตำแหน่งใดๆ ในโครงสร้างวัสดุ

                             x 0 คือ ตำแหน่งกึ่งกลางของบริเวณรอยต่อ


                             D คือ ค่าคงที่การแพร่ของอะตอม ซึ่งมีความสัมพันธ์กับความหนาของบริเวณรอยต่อ


                             การจำลองบริเวณรอยต่อของโครงสร้างวัสดุสามชั้น FM/NM/FM สามารถพิจารณาการแพร่
                       และตำแหน่งของอะตอมจากสมการความน่าจะเป็น ตามขั้นตอนดังนี้
   156   157   158   159   160   161   162   163   164   165   166