Page 150 - Spin Transport and Spintronics
P. 150

5.3 หัวอ่านข้อมูล                                                                152






                  ตัวอย่างที่ 5.6 เมื่อทำการป้อนแรงดันไบอัสขนาด 150 mV ผ่านโครงสร้างหัวอ่านข้อมูล

                  พบว่ามีการตอบสนองของความต้านทานไฟฟ้ากับสนามแม่เหล็กภายนอกดังเส้นโค้งถ่ายโอน
                  ในรูปที่ 5.17 จงคำนวณหาค่าสัญญาณอ่านกลับของหัวอ่านข้อมูลเมื่อสนามแม่เหล็กเหนี่ยว


                  นำที่เกิดจากบิตข้อมูลมีค่าเท่ากับ ±0.4 kOe

                  วิธีทำ จากเส้นโค้งถ่ายโอนพบว่าหัวอ่านข้อมูลมีการตอบสนองแบบเชิงเส้น โดยสามารถ
                  อ่านค่าความต้านทานสูงสุดและต่ำสุดเมื่อสนามแม่เหล็กเหนี่ยวนำที่เกิดจากบิตข้อมูลมีค่า

                  ±0.4 kOe ได้ดังนี้


                        ค่าความต้านทานไฟฟ้าเมื่อ H = 0 มีค่า R 0 = 480 Ω


                        ค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำสุด เมื่อ H = 0.4 kOe มีค่า R min = 455 Ω


                  ค่าความต้านทานไฟฟ้าสูงสุด เมื่อ H = −0.4 kOe มีค่า R max = 505 Ω
                  จากนั้นนำค่าที่ได้ไปแทนค่าในสมการสัญญาณอ่านกลับดังต่อไปนี้






                                         R max − R min       (505 − 455)
                            S readback  = V b          = 150            = 15.63 mV
                                              R 0                480
   145   146   147   148   149   150   151   152   153   154   155