Page 174 - Spin Transport and Spintronics
P. 174
6.3 หัวอ่านข้อมูลประสิทธิภาพสูง 176
รูปที่ 6.5 แผนภาพการคำนวณค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กในโครงสร้างหัวอ่านข้อมูล
ขั้นตอนที่ 3 พิจารณาพลวัตของแมกนีไทเซชันซึ่งถูกเหนี่ยวนำด้วยสนามแม่เหล็กประสิทธิผล
และสนามแม่เหล็กเหนี่ยวนำจากสปินทอร์คด้วยสมการ LLG
ขั้นตอนที่ 4 ทิศทางใหม่ของแมกนีไทเซชันที่เวลา t + 1 ที่ได้จากขั้นตอนที่ 3 จะถูกนำไป
พิจารณาเพื่อใช้คำนวณการสะสมสปินและกระแสสสปินที่เวลา t + 1 ในขั้นตอนที่ 1 ต่อไป และจะหยุด
การคำนวณเมื่อระบบเข้าสู่สภาวะสมดุลแล้ว
ค่าอัตราส่วนความต้านทานเชิงแม่เหล็กเป็นการพิจารณาความแตกต่างของความต้านทานใน
โครงสร้างวัสดุในกรณีที่แมกนีไทเซชันระหว่างชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรภายในโครงสร้างสปินวาล์วมีการจัด
เรียงตัวในทิศทางขนาน (P) และตรงกันข้าม (AP) การคำนวณในแผนภาพจึงต้องทำสองครั้งเพื่อหาค่า
ความต้านทานในกรณี P และ AP
ในที่นี้จะยกตัวอย่างการคำนวณโครงสร้าง Co/Cu/FMs ในกรณีที่แมกนีเทไซชันมีการจัดเรียง
ตัวแบบขนานหรือ P state จากผลการคำนวณในรูปที่ 6.6 แสดงให้เห็นว่าค่าการสะสมสปินมีแนว
โน้มจะลู่เข้าสู่ค่าสมดุลของการสะสมสปินของวัสดุ (m ∞) ในขณะที่กระแสสปินจะมีค่าเริ่มต้นจากศูนย์
และสามารถถูกโพลาไรซ์ได้อย่างสมบูรณ์ที่ความหนาของชั้นวัสดุที่มากกว่าระยะการแพร่ (t > λ )
sdl
โดยการสะสมสปินและกระแสสปินจะมีแนวโน้มจัดเรียงตัวไปตามทิศทางของแมกนีไทเซชันภายในชั้น
วัสดุ เนื่องจากปฎิสัมพันธ์แลกเปลี่ยน s-d ระหว่างกระแสสปินและแมกนีไทเซชัน และมีค่าขึ้นอยู่กับ
คุณสมบัติการส่งผ่านสปินของวัสดุ การสะสมของสปินจะมีค่าคงที่ชั้นบัลค์และค่อยๆ ลงลงที่บริเวณ
