Page 171 - Spin Transport and Spintronics
P. 171

6.3 หัวอ่านข้อมูลประสิทธิภาพสูง                                                  173



                       6.3.1   ชนิดของวัสดุแม่เหล็กที่มีต่อพฤติกรรมการส่งผ่านสปิน


                             ในส่วนแรกจะทำการศึกษาชนิดของวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรที่มีต่อพฤติกรรมการส่งผ่านสปินภาย

                       ในโครงสร้างวัสดุ เพื่อนำไปสู่การเลือกชนิดของวัสดุที่เหมาะสมในการนำมาประยุกต์ใช้ในหัวอ่านข้อมูล

                       เนื่องจากความต้านทาน GMR จะมีค่าขึ้นอยู่กับการกระเจิงของสปินในชั้นวัสดุและที่บริเวณรอยต่อ

                       โดยหัวอ่านข้อมูลที่ดีต้องมีค่าอัตราส่วน MR ที่สูงและมีค่า RA ที่ต่ำ ซึ่งจะสามารถจำแนกสัญญาณของ
                       บิตข้อมูล 0 และ 1 ได้ดี และมีการใช้พลังงานที่ต่ำ


                             คุณสมบัติทางแม่เหล็กและการส่งผ่านสปินของวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรส่งผลต่อประสิทธิ-ภาพการ
                       ทำงานของหัวอ่านข้อมูลอย่างมาก ดังนั้นการศึกษาพฤติกรรมการส่งผ่านสปินของวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โร

                       แต่ละชนิดจะช่วยทำให้เข้าใจกระบวนการเกิดปรากฏการณ์ GMR นอกจากนี้การศึกษาปัจจัยที่ส่งผลต่อ

                       ค่า RA จะทำให้เกิดความเข้าใจพื้นฐานของการเกิดปรากฏการณ์ดังกล่าว ซึ่งทำให้สามารถเลือกวัสดุที่
                       เหมาะสมสำหรับการนำมาประยุกต์ใช้ในหัวอ่านข้อมูลฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นในอนาคต

                       ได้ โดยในลำดับแรกจะทำการศึกษาโครงสร้างวัสดุสามชัั้น Co(5nm)/Cu(5nm)/FMs(5nm) เมื่อ FMs

                       เป็นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรชนิดต่างๆ ได้แก่ วัสดุแม่เหล็กโคบอลต์ (Co) วัสดุแม่เหล็กนิกเกิลไอรอน (NiFe)
                       วัสดุโคบอลต์ไอรอน (CoFe) วัสดุแม่เหล็กฮอยเลอร์อัลลอยด์ Co 2FeAl (CFA) Co 2FeSi (CFS) และ

                       Co 2FeAl 0.5Si 0.5(CFAS) ซึ่งมีพารามิเตอร์การส่งผ่านของสปินดังตารางต่อไปนี้



                            ตารางที่ 6.1 คุณสมบัติการส่งผ่านสปินของวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรชนิดต่างๆ ที่อุณหภูมิ 0 K



                                วัสดุ         β         β ′       λ sdl        m ∞          D 0
                                                                                                2
                                                                                   3
                                                                  (nm)       (MC/m )        (cm /s)
                            Co            0.50       0.90       60         39.45         30

                            CoFe          0.56       0.73       12         261.50        7.25

                            NiFe          0.70       0.95       5          111.80        10
                            CFA           0.99       0.86       3          6.80          10

                            CFS           0.86       0.96       1.7        15.71         10

                            CFAS          0.92       0.85       3          3.09          10



                             การคำนวณค่าความต้านทานทางแม่เหล็กของโครงสร้างสปินวาล์วสามารถอธิบายได้จากพฤติ-
                       กรรมการส่งผ่านสปิน ซึ่งพิจารณาได้จากแบบจำลองในระดับอะตอมร่วมกับแบบจำลองการสะสมสปิน

                       โดยแบบจำลองในระดับอะตอมจะใช้ในจำลองโครงสร้างหัวอ่านข้อมูลเพื่อคำนวณพลวัตของแมกนีไท

                       เซชันดังแสดงในรูปที่ 6.3 โดยกำหนดความกว้างของบริเวณรอยต่อที่เกิดจากการผสมกันของอะตอม

                       ระหว่างชั้นวัสดุเท่ากับ 1 นาโนเมตร ซึ่งความหนาแน่นของอะตอมแต่ละชนิดที่บริเวณรอยต่อที่เกิดจาก
   166   167   168   169   170   171   172   173   174   175   176