Page 173 - Spin Transport and Spintronics
P. 173
6.3 หัวอ่านข้อมูลประสิทธิภาพสูง 175
รูปที่ 6.4 แมกนีไทเซชันและพารามิเตอร์การส่งผ่านของสปินที่ตำแหน่งต่างๆ ในโครงสร้างวัสดุ
Co(5nm)/Cu(5nm)/Co(5nm)
จากการคำนวณพบว่าค่าพารามิเตอร์การส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุจะมีค่าคงที่ภายในบัลค์
และมีค่าค่อยๆ เปลี่ยนแปลงในบริเวณรอยต่อซึ่งมีการผสมกันของอะตอมของวัสดุต่างชนิด ดังแสดงใน
รูปที่ 6.4 ค่าแมกนีไทเซชันและพารามิเตอร์การส่งผ่านสปินจะถูกนำมาพิจารณาพฤติกรรมส่งผ่านสปิน
ในโครงสร้างหัวอ่านข้อมูลต่อไป
จากนั้นทำการป้อนกระแสไฟฟ้าที่มีความหนาแน่น 50 MA/cm ในทิศทางตั้งฉากกับโครงสร้าง
2
วัสดุ เพื่อทำการพิจารณาความต้านทานเชิงแม่เหล็กที่เกิดขึ้นในโครงสร้างวัสดุ ซึ่งมีขั้นตอนการคำนวณ
ตามแผนภาพดังแสดงในรูปที่ 6.5และรายละเอียดดังนี้
ขั้นตอนที่ 1 ทำการคำนวณค่าการสะสมสปิน m(x, t) และกระแสสปินเชิงตำแหน่งและเวลา
j s (x, t) ดังรายละเอียดการคำนวณในบทที่ 2 ซึ่งจะทำให้เราสามารถคำนวณค่าความต้านทานเชิงแม่
เหล็กที่ตำแหน่งและเวลาต่างๆ ได้ RA(x,t) เนื่องจากค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กสามารถพิจารณา
ได้โดยตรงจากความสัมพันธ์ของการเปลี่ยนแปลงของการสะสมสปินและกระแสสปิน โดยค่าความ
ต้านทานเชิงแม่เหล็กของโครงสร้างวัสดุจะคำนวณจากผลรวมของค่าความต้านทานเชิงพื้นที่ที่เกิดขึ้น
ในทุกๆ ตำแหน่งภายในโครงสร้างวัสดุ
ขั้นตอนที่ 2 คำนวณค่าสนามเหนี่ยวนำที่เกิดจากสปินทอร์คซึ่งสามารถพิจารณาได้จากค่าการ
สะสมสปิน H sd = J m
sd
