Page 198 - Spin Transport and Spintronics
P. 198

7.3 ค่าคงที่ความหน่วงประสิทธิผล                                                  200













































              รูปที่ 7.7 (a) พลวัตของแมกนีไทเซชันในโครงสร้างวัสดุ CoFeB ที่มีความหนา 2 nm ที่อุณหภูมิ 300

              K เมื่อทำการปรับทิศทางของแมกนีไทเซชันออกจากสภาวะสมดุล 30 โดยจุดข้อมูลและเส้นประแสดง
                                                                       ◦
              พลวัตของแมกนีไทเซชันที่ได้จากสมการเชิงวิเคราะห์และวิธีการเชิงคำนวณ ตามลำดับ (b) ผลการ

              เปรียบเทียบค่าคงที่ความหน่วงประสิทธิผลของวัสดุ CoFeB ที่ความหนาต่างๆ ที่อุณหภูมิ 300 K ที่ได้

              จากผลการทดลองและการคำนวณ [80]



                    3) เมื่อความหนาของชั้นฟิล์ม CoFeB มากกว่า 5 nm (t CoFeB > 5nm) ค่าคงที่ความหน่วง

              ประสิทธิผลจะค่อนข้างคงที่และมีค่าใกล้เคียงกับค่าคงที่ความหน่วงของชั้นเบ้าค์ซึ่งมีค่า α = 0.003
              จากผลการคำนวณแสดงให้เห็นว่าสำหรับกรณีแผ่นฟิล์มหนา ค่าคงที่ความหน่วงของชั้นเบ้าค์จะส่งผล

              อย่างมากต่อค่าคงที่ความหน่วงประสิทธิผล เนื่องจากสปินในชั้นเบาค์จะเกิดการเข้าสู่สภาวะสมดุลแบบ

              ไม่พร้อมเพรียงกันอย่างช้าๆ

                    เมื่อทำการพิจารณาความสัมพันธ์ของค่าคงที่ความหน่วงกับส่วนกลับของความหนาของชั้นฟิล์ม

              1/t CoFeB ดังแสดงในกราฟย่อยของรูปที่ 7.7 (b) พบว่าในชั้นฟิล์มหนา ค่าคงที่ความหน่วง α กับ

              1/t CoFeB จะมีความสัมพันธ์แบบเชิงเส้น ซึ่งกรณีนี้อธิบายได้ด้วยสมการเชิงเส้นดังนี้



                                             α eff  = 0.003 +  0.0189677
                                                             t CoFeB
   193   194   195   196   197   198   199   200   201   202   203