Page 207 - Spin Transport and Spintronics

7.4 การออกแบบ STT-MRAM 209

เมื่อโมเมนตัมของสปินโพลาไรซ์ (spin-polarized electron momentum) มีค่าดังนี้

p
↑(↓) 2m int (E F − (δ ∓ δ − eV )/2)
k FM1 =
¯h
p
2m int (E F − (δ ∓ δ + eV )/2)
↑(↓)
k FM2 = ¯h
และ

√
2ζS 2m e
A =
¯h
√
m int 2m b φ
ξ =
m b ¯h
โดย S ความกว้างของกำแพงการทะลุผ่าน มีหน่วยเป็นเมตร (m)

φ คือ ความสูงของกำแพงการทะลุผ่านมีหน่วยเป็นอิเล็กตรอนโวลต์ (eV)

V คือ แรงดันไบอัส

m e คือ มวลของอิเล็กตรอน

ζ คือ ค่าคงที่ซึ่งได้จากการทดลอง

E F คือ ระดับพลังงานเฟอร์มิ

δ คือ ความแตกต่างของระดับพลังงานระหว่างความหนาแน่นของสถานะสปินขึ้นและสปินลง

ภายในชั้นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โร

m int และ m b คือ มวลประสิทธิผลของอิเล็กตรอนที่บริเวณรอยต่อและในบริเวณชั้นกำแพงทะลุ

ผ่านตามลำดับ