Page 30 - Spin Transport and Spintronics

1.2 ปรากฏการณ์ความต้านทานเชิงแม่เหล็กจากการทะลุผ่าน 31

ตัวอย่างที่ 1.3 จงคำนวณหาค่าพารามิเตอร์การโพลาไรเซชันขของวัสดุที่มีความหนาแน่น

ทางสถานะของสปินขึ้นและสปินลงดังรูป

1.6 ↑ ↓
N -N
1.2
DOS[states/eV atom] -0.4
0.8
0.4
0

-0.8
-1.2
-1.6
-8 -6 -4 -2 0 2 4
E-E [eV]
F

วิธีทำ ค่าพารามิเตอร์การโพลาไรเซชันของวัสดุสามารถคำนวณได้จากความหนาแน่นทาง

สถานะของสปินขึ้น (N ) และสปินลง (N ) จากข้อมูลที่ให้มาพบว่า N = 0.2 states/eV
↑
↓
↑
และ N = 1.25 states/eV จะได้ว่า
↓

↑ ↓
N − N 1.25 − 0.2
P = = = 0.72
↑
N + N ↓ 1.25 + 0.2

ตัวอย่างที่ 1.4 จงคำนวณหาค่าอัตราส่วน TMR ของโครงสร้างวัสดุสามชั้น FM1/IS/FM2

โดยกำหนดให้วัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรมีค่าความหนาแน่นทางสถานะของสปินขึ้นและสปินลงดัง
ตารางต่อไปนี้

วัสดุ N (E F ) N (E F )
↓
↑
FM1 (NiFe) 1.6 0.2

FM2 (CoFeAl) 0.862 0.059

วิธีทำ ค่าอัตราส่วน TMR สามารถคำนวณได้จากความสัมพันธ์ของการโพลาไรเซชันของสปิน

ดังต่อไปนี้