Page 33 - Spin Transport and Spintronics
P. 33

1.3 การส่งผ่านสปินและประจุของอิเล็กตรอน                                           34



                    ในกรณีที่ค่าศักย์ไฟฟ้าเคมีมีความเบี่ยงเบนจากค่าที่สภาวะสมดุลเล็กน้อย ค่าศักย์ไฟฟ้าเคมีจะ

              สามารถพิจารณาได้จากความหนาแน่นของอิเล็กตรอนส่วนเกินต่อความหนาแน่นทางสถานะที่ระดับ
              พลังงานเฟอร์มิ (N(E F )) ดังความสัมพันธ์ต่อไปนี้ [16]


                                                        n − n eq                             (1.13)
                                                 µ ch  =
                                                        N(E F )
              โดยการสะสมสปินคือค่าความเบี่ยงเบนของความหนาแน่นของสปินจากค่าที่สภาวะสมดุลและสามารถ

              อธิบายได้ด้วยแบบจำลองสองกระแสดังนี้



                                                                        ↓
                                                       ↑
                                                            ↑
                                                                   ↓
                                      m = n − n eq = (n − n ) − (n − n )                     (1.14)
                                                            eq          eq
              โดย m คือการสะสมสปิน
                    n eq เป็นจำนวนของสปินที่สภาวะสมดุลหรือที่ชั้นบัลค์


                    n ↑(↓)  คือความหนาแน่นของสปินขึ้น (สปินลง)

                    จากความสัมพันธ์ดังแสดงในสมการที่ (1.13) และ (1.14) พบว่าการสะสมสปินมีค่าแปรผันตรง

              กับค่าศักย์ไฟฟ้าเคมีซึ่งพิจารณาได้จากความแตกต่างระหว่างศักย์ไฟฟ้าเคมีของสปินขึ้นและสปินลง
              m ∝ µ = µ − µ ดังนั้นการศึกษาการเปลี่ยนแปลงของการสะสมสปินต่อตำแหน่งจึงถูกนำมาใช้ใน
                              ↓
                         ↑
              การอธิบายการเปลี่ยนแปลงของศักย์เคมีจากการป้อนกระแสไฟฟ้าผ่านโครงสร้างวัสดุ


                    ในการพิจารณาศักย์ไฟฟ้าเคมีในโครงสร้างวัสดุ FM/NM สามารถทำได้โดยป้อนอิเล็กตรอน
              ตัวนำเข้าสู่ชั้นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โร FM ซึ่งจะทำให้เกิดกระแสสปินโพลาไรซ์เนื่องจากปฎิสัมพันธ์

              แลกเปลี่ยน s-d ระหว่างสปินของอิเล็กตรอนกับแมกนีไทเซชันในชั้นวัสดุ สปินของอิเล็กตรอนตัวนำ

              ที่เคลื่อนที่ไหลเข้ามายังชั้นวัสดุ FM มีแนวโน้มที่จะจัดเรียงตัวไปในทิศทางเดียวกันกับความหนาแน่น
              ทางสถานะของสปินส่วนมากภายในชั้นวัสดุซึ่งเป็นสปินขึ้น ทำให้ค่าศักย์ไฟฟ้าเคมีสำหรับสปินขึ้น (µ ↑)

              และสปินลง (µ ↓) ที่ตำแหน่งต่างๆ ภายในโครงสร้างวัสดุจะมีค่าที่แตกต่างกันดังแสดงในรูปที่ 1.7 จาก

              นั้นกระแสสปินโพลาไรซ์ที่มีจำนวนของสปินขึ้นมากกว่าสปินลงจะเคลื่อนที่ไหลผ่านบริเวณรอยต่อ
              ระหว่างชั้นวัสดุ FM/NM ไปยังชั้นวัสดุ NM โดยในบริเวณรอยต่อจะมีความไม่ต่อเนื่องของศักย์ไฟฟ้า

              เคมี ซึ่งเกิดจากการเปลี่ยนแปลงความหนาแน่นของจำนวนสปินและศักย์ไฟฟ้าเคมีจะมีค่าลดลงตาม

              ระยะการกลับทิศทางของสปิน (spin-flip length) ของวัสดุนั้นๆ สังเกตได้จากกระแสสปินโพลาไรซ์ซึ่ง

              จะมีค่าคงที่และสูงสุดภายในชั้นแม่เหล็กเฟอร์โร จากนั้นจะมีค่าค่อยๆ ลดลงในบริเวณรอยต่อและมีค่า
              เข้าใกล้ศูนย์ภายในชั้นวัสดุนอนแมกเนตที่ความหนาของชั้นฟิล์มซึ่งมีค่ามากกว่าระยะการกลับทิศทาง

              ของสปินเ เนื่องจากวัสดุนอนแมกเนตมีความหนาแน่นสถานะของสปินขึ้นและสปินลงที่ระดับพลังงาน

              เฟอร์มิที่เท่ากัน โดยศักย์ไฟฟ้าเคมีรวมสามารถพิจารณาได้จากผลรวมของศักย์ไฟฟ้าเคมีของสปินทั้ง

              สองช่อง (µ = µ ↑ + µ ↓) เมื่อพิจารณาค่าการสะสมสปินจากค่าศักย์ไฟฟ้าเคมีพบว่า ที่ตำแหน่งห่าง
   28   29   30   31   32   33   34   35   36   37   38