Page 56 - Spin Transport and Spintronics
P. 56

2.5 แบบจำลองทั่วไปของการสะสมสปิน                                                  57



                       2.5     แบบจำลองทั่วไปของการสะสมสปิน




                             การศึกษาปรากฏการณ์ค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กสามารถอธิบายได้จากพฤติกรรมการส่ง
                       ผ่านสปินที่เกิดขึ้นภายในโครงสร้างวัสดุแม่เหล็ก ผ่านการพิจารณาปริมาณทางฟิสิกส์ที่สำคัญ 2 ปริมาณ

                       คือ การสะสมสปินและกระแสสปิน ในลำดับถัดไปจะทำการอธิบายแบบจำลองการสะสมสปินเพื่อใช้

                       ในการอธิบายค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กที่เกิดขึ้นในโครงสร้างวัสดุเพื่อนำไปสู่การทำความเข้าใจ

                       กระบวนการทางฟิสิกส์ที่เกิดขึ้นและหลักการของออกแบบอุปกรณ์สปินทรอนิกส์ที่เหมาะสม

                             การสะสมสปินเป็นปริมาณเชิงฟิสิกส์ที่ใช้ในการอธิบายพฤติกรรมการส่งผ่านสปินในโครงสร้าง

                       ของวัสดุแม่เหล็ก โดย Zhang Lavy และ Fert (ZLF) [23] ได้ทำการศึกษาเชิงทฤษฎีเพื่อคำนวณหาค่า
                       การสะสมสปินภายในโครงสร้างวัสดุแม่เหล็กสองชั้นเป็นครั้งแรก และกำหนดนิยามของการสะสมสปิน

                       คือค่าความแตกต่างของจำนวนสปินขึ้นและสปินลง (m = n − n ) โดยการคำนวณหาปริมาณการ
                                                                          ↑
                                                                               ↓
                       สะสมสปินสามารถพิจารณาได้จากปฎิสัมพันธ์แลกเปลี่ยน s-d ระหว่างกระแสสปินโพลาไรซ์ที่เคลื่อนที่

                       ผ่านโครงสร้างวัสดุและแมกนีไทเซชันของชั้นวัสดุ ซึ่งทำให้เกิดปรากฏการณ์สปินทอร์คจากกระแสสปิน
                       โพลาไรซ์กระทำต่อแมกนีไทเซชันภายในชั้นวัสดุ และทำให้แมกนีไทเซชันภายในโครงสร้างวัสดุเกิดการ

                       จัดเรียงตัวในทิศทางใหม่ การเคลื่อนที่แบบหมุนวนของการสะสมสปินรอบแมกนีไทเซชันซึ่งเกิดจากผล

                       ของปฎิสัมพันธ์แลกเปลี่ยน s-d จะถูกนำเข้าไปเพิ่มในสมการการเคลื่อนที่ของการสะสมสปินในสมการ

                       ที่ (2.8) ดังนี้



                                                 ∂m                           m
                                                     + ∇j s + (J/ℏ)m × M = −                           (2.9)
                                                  ∂t                          τ sf
                       เมื่อ m คือเวกเตอร์การสะสมของสปิน


                             M คือเวกเตอร์หนึ่งหน่วยของแมกนีไทเซชัน


                             J คือค่าปริพันธ์การแลกเปลี่ยนพลังงานระหว่างสปินของอิเลกตรอนและแมกนีไทเซชัน

                             ℏ ค่าคงที่ของแพลงค์


                             τ sf คือเวลาที่สปินของอิเล็กตรอนใช้ในการกลับทิศทาง

                             จากสมการที่ (2.9) แสดงให้เห็นว่าการสะสมของสปินจะมีการเคลื่อนที่แบบหมุนวนรอบแมก

                       นีไทเซชัน โดยขนาดของการสะสมของสปินมีแนวโน้วที่จะลดลงเข้าสู่ศูนย์ดังแสดงในพจน์ด้านขวา

                                      m  ตามระยะเวลาการคลายตัวหรือการกลับทิศทางของสปิน τ sf อย่างไรก็ตามการ
                       มือของสมการ −
                                     τ sf
                       พิจารณาการเคลื่อนที่ของการสะสมสปินด้วยแบบจำลอง ZLF สามารถใช้อธิบายพฤติกรรมการส่งผ่าน
                       สปินภายในโครงสร้างวัสดุแม่เหล็กสองชั้นเท่านั้น และมีข้อจำกัดในการศึกษาคุณสมบัติการส่งผ่านของ
   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61