Page 92 - Spin Transport and Spintronics

3.4 ความต้านทานเชิงแม่เหล็ก 93

โดยกรณีนี้การสะสมสปินมีเฉพาะองค์ประกอบแบบขนานดังนั้นจะได้ว่า

∂m (x) m (∞) − m (0)
∥ ∥ ∥ −x/λ sdl
= e
∂x λ sdl

7
∂m (0.3 nm) 4 × 10 − 2.65 × 10 7 −0.3/60 14 ∂m y
∥
= e = 2.23 × 10 =
∂x 60 × 10 −9 ∂x
นำไปแทนค่าในสมการกระแสสปิน จะได้ค่าดังนี้
9 2
j s = 4.7 × 10 ˆ e y A/m

และค่ากระแสสปินนี้จะเป็นค่ากระแสสปินเริ่มต้นของชั้นวัสดุที่ i + 1 กล่าวคือ

1 2 9 2
j (0.3 nm) = j (0) = 4.7 × 10 ˆ e y A/m
s
s
ขั้นตอนที่ 7 : ทำซ้ำขั้นตอนที่ 1 - 6 จนกว่าจะครบทุกชั้นวัสดุ (i = 0, 1, 2, . . . , n) เมื่อ
ทำการพิจารณาครบทุกชั้นแล้วจะได้ค่าการสะสมสปินและกระแสสปินในทุกตำแหน่งของ

โครงสร้างวัสดุ

3.4 ความต้านทานเชิงแม่เหล็ก

การคำนวณค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กที่เกิดขึ้นภายในโครงสร้างวัสดุสามารถคำนวณได้จาก
การศึกษาการสะสมสปินและกระแสสปิน โดยทำการป้อนกระแสไฟฟ้าภายนอกในทิศทางตั้งฉากกับ

ระนาบของโครงสร้างวัสดุ การศึกษาปรากฏการณ์ค่าความต้านทานเชิงแม่เหล็กในเชิงทฤษฎีสามารถ

อธิบายได้จากการศึกษาพฤติกรรมการส่งผ่านสปิน ซึ่งพิจารณาจากการเปลี่ยนแปลงของการสะสมสปิน