Page 71 - Spin Transport and Spintronics

2.5 แบบจำลองทั่วไปของการสะสมสปิน 72

ˆ
m ⊥,2 (x) = 2e −k 1 x [ucos(k 2 x) − vsin(k 2 x)]b 2
ˆ
m ⊥,3 (x) = 2e −k 1 x [usin(k 2 x) + vcos(k 2 x)]b 3
q
−2
−2
เมื่อ (k 1 ± ik 2 ) = λ −2 ± iλ และ λ −2 = λ −2 + λ ซึ่งในกรณีนี้ค่าระยะการ
trans
trans
J
ϕ
sf
−2
กลับทิศทางของสปินมีค่ามากกว่าระยะสปินดีเฟสซิง ทำให้ λ −2 ≈ λ และนอกจากนี้พบ
trans
ϕ
ว่า λ ϕ <≈ λ J ทำให้ระยะสปินดีเฟสซิงมีผลต่อการเกิดสปินทอร์คอย่างมาก

ตัวอย่างที่ 2.6 จงอธิบายการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุแม่เหล็กสามชั้น FM/NM/FM

โดยชั้นสเปสเซอร์มีขนาดที่บางมาก และแมกนีไทเซชันในชั้นพินและชั้นอิสระมีการจัดเรียง

ตัวในทิศทาง M p = −0.5e y + 0.877e z และ M = e z ตามลำดับ โดยกำหนดให้ชั้นพินเป็น

วัสดุ half metal ที่มีค่าพารามิเตอร์ของการโพลาไรเซชันเท่ากับ 1 และชั้นอิสระเป็นวัสดุแม่
เหล็กเฟอร์โรที่มีค่าพารามิเตอร์ของการส่งผ่านสปินดังตารางต่อไปนี้

พารามิเตอร์ ค่าพารามิเตอร์ หน่วย

β 0.5 -
β ′ 0.9 -

J 0.25 eV
4 nm
λ J
60 nm
λ sdl

จากนั้นทำการคำนวณการสะสมของสปินและกระแสของสปินด้วยแบบจำลองการสะ

สมสปินของ ZLF ดังความสัมพันธ์

∂m m
+ ∇j s + (J/ℏ)m × M = −
∂t τ sf
จากผลการคำนวณได้ค่าการสะสมสปินและกระแสสปินที่ตำแหน่งต่างๆ ในชั้นอิสระดังรูป