Page 81 - Spin Transport and Spintronics

3.1 แบบจำลองบริเวณรอยต่อในโครงสร้างวัสดุ 82

ค่าความเข้มข้นที่ตำแหน่งชั้น i ใดๆ (C i) จากสมการที่ (3.3) และกำหนดให้ค่า x 0 = 0.2 nm จะได้ค่า

ความเข้มข้นของไอออนที่ตำแหน่งต่างๆ ในชั้นวัสดุแสดงในรูปที่ 3.2 จากนั้นจะทำการคำนวณค่าความ
เข้มข้นรวม (C) ของชั้นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรที่ตำแหน่งต่างๆ ด้วยทฤษฎีการทับซ้อนในสมการที่ (3.4)

ดังแสดงในรูปที่ 3.2 โดยพบว่าการจำลองบริเวณรอยต่อด้วยกฎของฟิคมีความสอดคล้องกับความเข้ม

ข้นของไอออนกับการศึกษาเชิงการทดลอง

1
C
t IF C NM
FM
Concentration [%] 0.6
0.8

0.4

0.2

0
-2 -1 0 1 2
Distance [x, nm]
(a)

1
0.004 nm
Concentration [%] 0.6 0.4 nm
0.1 nm
0.8
0.2 nm

0.4

0.2

0
-2 -1 0 1 2
Distance [x, nm]

(b)

รูปที่ 3.3 (a) ความเข้มข้นของอะตอม Co และ Cu ที่ตำแหน่งต่างๆ ในโครงสร้างวัสดุ FM/NM ซึ่งมี

ความหนาของบริเวณรอยต่อเท่ากับ t IF (b) ความเข้มข้นเชิงตำแหน่งของอะตอม Co ในโครงสร้างที่มี

ความหนาของบริเวณรอยต่อแตกต่างกันซึ่งควบคุมด้วยพารามิเตอร์ x 0

ในทำนองเดียวกัน ความเข้มข้นของอะตอม Cu สามารถคำนวณได้เช่นเดียวกับการพิจารณา
ความเข้มข้นของอะตอมเชิงตำแหน่งของ Co ดังแสดงในรูปที่ 3.3 (a) โดยพบว่าบริเวณรอยต่อที่มีความ

หนาเท่ากับ t IF จะเกิดการผสมกันระหว่างอะตอมของ Co และ Cu และความหนาของบริเวณรอยต่อ

จะถูกควบคุมด้วยพารามิเตอร์ x 0 ซึ่งมีความสัมพันธ์กับค่าคงที่การแพร่ของไอออนและเวลาที่ใช้ในการ