Page 85 - Spin Transport and Spintronics

3.3 ขั้นตอนการพิจารณาการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุ 86

J(x) = J Co C Co (x) + J Cu [1 − C Co (x)]

J(0) = (0.25)(0.5) + 0 = 0.125 eV

λ sdl (x) = λ sdl, Co Co (x) + λ sdl, Cu [1 − C Co (x)]
C
λ sdl (0) = (60)(0.5) + 0 = 30 nm

ค่าพารามิเตอร์การส่งผ่านของสปินในตำแหน่งอื่นๆ ก็สามารถพิจารณาได้ในทำนอง
เดียวกัน ค่าพารามิเตอร์การส่งผ่านของสปินที่ตำแหน่งต่างๆ ในโครงสร้างวัสดุ Co/Cu แสดง

ดังรูปต่อไปนี้ ซึ่งจะเห็นว่าในชั้นวัสดุ Co บริเวณที่ห่างจากบริเวณรอยต่อจะมีค่าการส่งผ่าน

ของสปินตามชั้นบัลค์ Co แต่ที่บริเวณรอยต่อซึ่งเกิดการผสมกันของอะตอม Co และ Cu ค่า

พารามิเตอร์การส่งผ่านของสปินจะค่อยๆ เปลี่ยนแปลง และลู่เข้าสู่ค่าของพารามิเตอร์การส่ง
ผ่านของสปินในชั้นบัลค์ของวัสดุ Cu

1 600
β
β′ 500
0.8 λ sdl J 400
β, β′, J[eV], m ∞ 0.6 m ∞ 300 λ sdl [nm]

0.4

0.2 200
100
0 0
-2 -1 0 1 2
Distance [x, nm]

3.3 ขั้นตอนการพิจารณาการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุ

ในหัวข้อนี้จะอธิบายวิธีการคำนวณการส่งผ่านสปินค่าความต้านทางเชิงแม่เหล็กและค่าอัตราส่วน
MR โดยการประยุกต์ใช้แบบจำลองทั่วไปของค่าการสะสมสปินดังรายละเอียดที่อธิบายในบทที่ 2 ดัง

นั้นเพื่อง่ายต่อความเข้าใจจะยกตัวอย่างการคำนวณการส่งผ่านสปินในโครงสร้างวัสดุ FM/NM/FM

ดังแสดงในรูปที่ 3.4 โดยทิศทางของแมกนีไทเซชันภายในชั้นพินถูกกำหนดให้มีการจัดเรียงตัวใน

ทิศทางแกน y ในขณะที่แมกนีไทเซชันภายในชั้นอิสระจะค่อยๆ เปลี่ยนแปลงทิศทางในระนาบ yz การ